檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Shih-Hsiang Hsu".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="葉文昌"
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本研究製作單晶矽太陽電池，以TMAH蝕刻單晶矽晶圓進行表面粗糙化，形成金字塔結構，接著以磷酸溶液做為n+擴散源，經塗佈於Textured單晶矽晶圓並以高溫退火成功形成pn接面，並搭配磁控濺鍍機進行反…
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本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
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本研究成功利用蔽蔭遮罩圖案化製程與固相結晶法於不鏽鋼基板上製作出多晶矽薄膜電晶體，所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為25和100 μm，載子移動率分別為1.4和0 cm2/V-s，Ion…
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本研究開發氧化矽閘極絕緣膜及多晶矽膜之低溫濺鍍沉積技術，以利塑膠基板上薄膜電晶體之製作。此外，我們利用準分子雷射退火技術實現鍺膜之超級橫向成長，並觀察此長晶現象。本研究在室溫下藉由脈衝直流磁控反應性…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶，成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長，以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…